企业简介
上海丽恒光微电子科技有限公司 main business:集成电路和电子产品的设计；集成电路产品、集成电路制造及测试设备、电子产品、计算机软件（教育软件、电子出版物除外）的批发和进出口，并提供相关的技术咨询和技术服务。【&#yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号5号楼501B室.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
上海丽恒光微电子科技有限公司的工商信息
- 310115001266176
- 91310000560131156F
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2010年08月09日
- 毛剑宏
- 1843.748000
- 2011年01月20日 至 2041年01月19日
- 自由贸易试验区市场监管局
- 2010年08月09日
- 中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号5号楼501B室
- 集成电路和电子产品的设计；集成电路产品、集成电路制造及测试设备、电子产品、计算机软件（教育软件、电子出版物除外）的批发和进出口，并提供相关的技术咨询和技术服务。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海丽恒光微电子科技有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 丽恒光微 | http://shop194645765.com | |
| 网站 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | www.lexvu.com |
上海丽恒光微电子科技有限公司的商标信息
上海丽恒光微电子科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104062026B | 温度传感器 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种温度传感器，包括：电阻，随温度变化阻值；电阻‑频率转换电路，用于将电阻变化转换为频率 |
| 2 | CN105226130B | 成像探测器及其制造方法 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种成像探测器的制造方法，包括：刻蚀基底上的牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用导 |
| 3 | CN106365115A | MEMS传感器及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明公开一种MEMS传感器及其制备方法，包括步骤：提供一包含有CMOS电路的第一半导体基底，及包含 |
| 4 | CN106373941A | 探测传感器及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明揭示了一种探测传感器，包括：半导体基底；隔离层，形成于所述半导体基底上；互连层，形成于所述隔离 |
| 5 | CN106365110A | 探测传感器及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明揭示了一种探测传感器的制备方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成一牺牲层，所述牺 |
| 6 | CN105865417A | 高度测量方法、高度测量仪以及可穿戴设备 | 2016.08.17 | 本发明揭示了一种高度测量方法，包含：初始化一物体在初始时刻的实时高度；以一特定时间间隔实时采样所述物 |
| 7 | CN105865436A | 物体运动轨迹获取方法以及物体运动轨迹获取设备 | 2016.08.17 | 本发明揭示了一种物体运动轨迹获取方法，包含：初始化一物体在初始时刻的初始高度和初始经纬位置；实时探测 |
| 8 | CN105842706A | 激光三维成像装置及其制造方法 | 2016.08.10 | 一种激光三维成像装置及其制作方法，包括步骤：提供第一半导体晶圆；刻蚀第一半导体晶圆，在衬底中形成接触 |
| 9 | CN103435000B | 集成MEMS器件的传感器的晶圆级封装方法 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种压力传感器芯片的封装方法及压力传感器，包括步骤：提供一压力传感器芯片，在MEMS器件 |
| 10 | CN105439077A | 压力传感器的制备方法 | 2016.03.30 | 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包含：提供半导体基底，所述半导体基底的表面形成有覆盖底部电极的 |
| 11 | CN103837979B | 基于MEMS的焦距调整装置及其制备方法 | 2016.03.30 | 本发明涉及一种基于MEMS的焦距调整装置及其制备方法。基于MEMS的焦距调整装置包括一个可变形透镜； |
| 12 | CN103940535B | 压力传感器的制造方法 | 2016.03.09 | 本发明提供了一种压力传感器的制造方法，其包括步骤：提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、 |
| 13 | CN105323686A | 微机电麦克风及其制造方法 | 2016.02.10 | 本发明提供了微机电麦克风及其制作方法，所述微机电麦克风制作方法包括：半导体基片；形成底部电极和位于底 |
| 14 | CN105261622A | 一种成像探测器的制造方法 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种成像探测器的制造方法，在所述基底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔 |
| 15 | CN104058363B | 基于MEMS透射光阀的显示装置及其形成方法 | 2016.01.20 | 本发明涉及一种基于MEMS透射光阀的显示装置及其形成方法，包括提供包括底层半导体、中间埋层和顶层半导 |
| 16 | CN105226130A | 成像探测器及其制造方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种成像探测器的制造方法，包括：刻蚀基底上的牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用导 |
| 17 | CN103900740B | 压力传感器及其制造方法 | 2015.12.30 | 本发明提供了一种压力传感器及其制造方法，包括步骤：提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、 |
| 18 | CN103426732B | 低温晶圆键合的方法及通过该方法形成的结构 | 2015.12.02 | 本发明涉及一种低温晶圆键合的方法及通过该方法形成的结构。该低温晶圆键合的方法包括制备包括多个金属压点 |
| 19 | CN103837980B | 基于MEMS的光圈调整装置及其制备方法 | 2015.11.25 | 本发明涉及一种基于MEMS的光圈调整装置及其制备方法。基于MEMS的光圈调整装置包括一个不透明的可变 |
| 20 | CN103508412B | 压力传感器芯片的封装方法及压力传感器 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种压力传感器芯片的封装方法及压力传感器，包括步骤：提供一压力传感器芯片，在MEMS器件 |
| 21 | CN102923636B | 半导体结构及其制作方法 | 2015.11.25 | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法。本发明所提供的半导体结构包括基底和形成于所述基底上的介质层，所 |
| 22 | CN102591614B | 加法器以及集成电路 | 2015.09.09 | 一种加法器、集成电路，所述加法器，包括：多个MEMS开关器件，所述多个MEMS开关器件连接起来实现加 |
| 23 | CN103454018B | 压力传感器、振荡器、超声波传感器及测量方法 | 2015.09.09 | 本发明涉及一种压力传感器、振荡器、超声波传感器及测量方法。压力传感器，包括在控制、读出电路衬底上依次 |
| 24 | CN204502319U | 安装在登山杖的海拔高度测量器件及登山杖 | 2015.07.29 | 本实用新型公开了一种用于安装在登山杖的海拔高度测量器件及登山杖，所述用于安装在登山杖的海拔高度测量器 |
| 25 | CN104795418A | 感光成像装置及其制造方法 | 2015.07.22 | 本发明公开了一种感光成像装置，及其制造方法包括；第一半导体基板，其包括由光探测管阵列构成的感光半导体 |
| 26 | CN102983145B | 红外图像传感器及其形成方法 | 2015.07.08 | 一种红外图像传感器及其形成方法，包括：提供具有CMOS控制电路的衬底；在衬底上方形成像素结构、像素结 |
| 27 | CN104752341A | 红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置 | 2015.07.01 | 一种红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，红外雪崩二极管阵列装置的形成方法包括：提供硅 |
| 28 | CN104752340A | 雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置 | 2015.07.01 | 一种雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，雪崩光电二极管阵列装置的形成方法，包括：提供 |
| 29 | CN102569328B | 感光成像装置、半导体器件的制作方法 | 2015.05.13 | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法及感光成像装置，所述半导体器件的制作方法，包括：提供形成在第一衬 |
| 30 | CN102328904B | MEMS器件的形成方法 | 2015.05.13 | 一种MEMS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层； |
| 31 | CN102650918B | 光学式触摸装置及方法、触摸显示装置及方法 | 2015.05.13 | 一种光学式触摸装置及方法、触摸显示装置及方法。所述光学式触摸装置包括：多个光敏传感器，交替进行开启和 |
| 32 | CN102902099B | 平板显示装置 | 2015.04.22 | 本发明提供平板显示装置，包括：透明背板，所述透明背板具有第一表面和第二表面，所述透明背板的第一表面用 |
| 33 | CN102693988B | 光电二极管阵列及其形成方法 | 2014.12.31 | 一种光电二极管阵列及其形成方法，所述光电二极管阵列位于具有互连层的基底上；所述光电二极管阵列位于所述 |
| 34 | CN102360119B | 光调制器像素单元及其制作方法 | 2014.12.31 | 本发明实施例提供MEMS光调制器像素单元及其制作方法，所述光调制器像素单元包括：位于衬底上的层间介质 |
| 35 | CN102556943B | 微机电传感器的形成方法 | 2014.12.31 | 本发明提供微机电传感器的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有若干数目的微机电传感器件区，及与每个微 |
| 36 | CN102323669B | MEMS光调制器像素单元及其制作方法 | 2014.12.31 | 本发明实施例提供MEMS光调制器像素单元及其制作方法，所述光调制器像素单元包括：位于层间介质层内的空 |
| 37 | CN104142206A | 一种MEMS电容式压力传感器及其制作方法 | 2014.11.12 | 一种MEMS电容式压力传感器，其通过将桥式电路中感应电容开孔处理制作成参考电容，因为感应电容和参考电 |
| 38 | CN102515090B | 压力传感器及其形成方法 | 2014.11.05 | 一种压力传感器及其形成方法，形成压力传感器的方法包括：提供半导体基底，在半导体基底内具有控制电路和互 |
| 39 | CN102693796B | 数字可调电阻及其调节方法 | 2014.11.05 | 一种数字可调电阻及其调节方法。所述数字可调电阻包括：并联的受控电阻串和调节电阻串，所述受控电阻串通过 |
| 40 | CN102419475B | MEMS光阀及其制造方法、具有该MEMS光阀的显示装置 | 2014.10.01 | 一种MEMS光阀及其制造方法、具有该MEMS光阀的显示装置，MEMS光阀包括：层叠放置的固定光栅、第 |
| 41 | CN102591020B | 投影系统 | 2014.10.01 | 一种投影系统，包括第一光源、第二光源、双光路合成器件、显示基板、投影透镜、接收屏幕，其中，所述第一光 |
| 42 | CN104058367A | MEMS器件的制造方法 | 2014.09.24 | 本发明涉及一种MEMS器件的制造方法包括步骤：提供第一半导体基底；在第一半导体基底上形成图案层和嵌在 |
| 43 | CN104062026A | 温度传感器 | 2014.09.24 | 本发明公开了一种温度传感器，包括：电阻，随温度变化阻值；电阻-频率转换电路，用于将电阻变化转换为频率 |
| 44 | CN104058363A | 基于MEMS透射光阀的显示装置及其形成方法 | 2014.09.24 | 本发明涉及一种基于MEMS透射光阀的显示装置及其形成方法，包括提供包括底层半导体、中间埋层和顶层半导 |
| 45 | CN104051337A | 立体堆叠集成电路系统芯片封装的制造方法与测试方法 | 2014.09.17 | 本发明提供一种集成电路芯片立体堆叠系统集成封装的制造方法和测试方法，所述制造方法包括：第一裸芯片的表 |
| 46 | CN104004650A | 生物流体高分子探测装置以及探测方法 | 2014.08.27 | 本发明揭示了一种生物流体高分子探测装置，包括第一基板和第二基板，所述第一基板包含多个采样通孔，至少部 |
| 47 | CN102543572B | MEMS开关器件、逻辑门以及集成电路 | 2014.08.13 | 一种MEMS开关器件，逻辑门以及集成电路，所述MEMS开关器件包括：可动极板；第一参考电极、第二参考 |
| 48 | CN103940535A | 压力传感器的制造方法 | 2014.07.23 | 本发明提供了一种压力传感器的制造方法，其包括步骤：提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、 |
| 49 | CN103900740A | 压力传感器及其制造方法 | 2014.07.02 | 本发明提供了一种压力传感器及其制造方法，包括步骤：提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、 |
| 50 | CN102566164B | 硅基液晶显示单元及其制作方法、彩色滤光片结构 | 2014.06.18 | 本发明提供的硅基液晶显示单元及其制作方法、彩色滤光片结构，所述硅基液晶显示单元包括位于第一反射电极上 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 上海丽恒光微电子科技有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 上海丽恒光微电子科技有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
猜你喜欢